IT之家 8 月 24 日消息，深圳國際量子研究院昨日（8 月 23 日）發(fā)布博文，宣布基于可工業(yè)級量產(chǎn)的超低損耗氮化硅波導(dǎo)，在集成量子光源構(gòu)建方面取得重要進(jìn)展。
項(xiàng)目背景
量子信息為信息的產(chǎn)生、傳遞和處理提供了超越經(jīng)典方法的全新范式，正在推動對人類信息社會新一輪的變革。
光子由于其極佳的量子相干性，能夠在常溫下有效抵抗外界環(huán)境擾動，因此是量子信息最重要的載體之一?；趯庾拥恼{(diào)控，人們證實(shí)了量子計(jì)算優(yōu)越性，并建立了城際量子通訊網(wǎng)絡(luò)。
然而，迄今大規(guī)模光量子信息處理系統(tǒng)均基于自由空間光學(xué)或光纖光學(xué)構(gòu)建，其可擴(kuò)展性仍面臨較大挑戰(zhàn)。
近年來，基于光芯片的光量子信息處理也逐步進(jìn)入人們視野，相關(guān)工作大多基于目前最主流的商用硅光平臺。但是，硅波導(dǎo)超過 1 dB / cm 的損耗嚴(yán)重限制了其開展“光子級”實(shí)驗(yàn)的能力。
項(xiàng)目簡介
深圳國際量子研究院劉駿秋研究團(tuán)隊(duì)利用超高品質(zhì)因子微腔，該集成光源產(chǎn)生光子對的線寬首次達(dá)到原子躍遷線量級，且其亮度為迄今硅基集成光學(xué)平臺的最佳紀(jì)錄。
團(tuán)隊(duì)主要引入了氮化硅材料，提供了極佳的解決方案。氮化硅具有很多極其優(yōu)良的光學(xué)特性，包括從紫外到中紅外的光透明區(qū)間、在通訊波長無雙光子吸收以及合適的 Kerr 非線性等。
氮化硅光芯片的加工能夠完全兼容當(dāng)下標(biāo)準(zhǔn) CMOS 硅芯片工藝，并實(shí)現(xiàn)了低至 0.01 分貝每厘米的線性損耗。
團(tuán)隊(duì)通過腔內(nèi)自發(fā)四波混頻，研究團(tuán)隊(duì)制備出線寬低至 25.9 MHz 的光子對，這是芯片集成窄線寬量子光源首次達(dá)到原子躍遷線量級。
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