IT之家 8 月 29 日消息，SK 海力士今日宣布在業(yè)界率先成功開(kāi)發(fā)第六代 10 納米級(jí)（1c nm）DDR5 DRAM 內(nèi)存的同時(shí)，也表示 1c nm 工藝將用于多款其它 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品。
SK 海力士 DRAM 開(kāi)發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長(zhǎng)金鍾煥在新聞稿中表示：
1c 工藝技術(shù)兼?zhèn)渲罡咝阅芎统杀靖?jìng)爭(zhēng)力，公司將其應(yīng)用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先進(jìn) DRAM 主力產(chǎn)品群，由此為客戶(hù)提供差別化的價(jià)值。
今后公司也將堅(jiān)守 DRAM 市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)力，鞏固最受客戶(hù)信賴(lài)的 AI 用存儲(chǔ)器解決方案企業(yè)的地位。
IT之家注意到，金鍾煥在發(fā)言中為采用 1c nm 制程的 LPDDR 與 GDDR 指定了產(chǎn)品世代，但并未在 HBM 產(chǎn)品上提到具體世代。
根據(jù)此前報(bào)道，SK 海力士的 HBM4E 內(nèi)存有望采用 1c nm 制程的 32Gb DRAM 裸片，此外 SK 海力士?jī)?nèi)部也曾有在 HBM4 產(chǎn)品中就導(dǎo)入 1c nm DRAM 的聲音。
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