IT之家 8 月 29 日消息，SK 海力士今日宣布在業(yè)界率先成功開發(fā)第六代 10 納米級（1c nm）DDR5 DRAM 內(nèi)存的同時，也表示 1c nm 工藝將用于多款其它 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品。
SK 海力士 DRAM 開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長金鍾煥在新聞稿中表示：
1c 工藝技術(shù)兼?zhèn)渲罡咝阅芎统杀靖偁幜?，公司將其?yīng)用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先進 DRAM 主力產(chǎn)品群，由此為客戶提供差別化的價值。
今后公司也將堅守 DRAM 市場的領(lǐng)導(dǎo)力，鞏固最受客戶信賴的 AI 用存儲器解決方案企業(yè)的地位。
IT之家注意到，金鍾煥在發(fā)言中為采用 1c nm 制程的 LPDDR 與 GDDR 指定了產(chǎn)品世代，但并未在 HBM 產(chǎn)品上提到具體世代。
根據(jù)此前報道，SK 海力士的 HBM4E 內(nèi)存有望采用 1c nm 制程的 32Gb DRAM 裸片，此外 SK 海力士內(nèi)部也曾有在 HBM4 產(chǎn)品中就導(dǎo)入 1c nm DRAM 的聲音。
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