IT之家 9 月 9 日消息，《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 3 日報(bào)道稱，由于 QLC 企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤銷售狀況良好，SK 海力士旗下 Solidigm 的中國大連晶圓廠將在一段時(shí)間內(nèi)延續(xù) FG（IT之家注：浮動(dòng)?xùn)艠O，Floating Gate）NAND 閃存工藝，并獲得新的設(shè)備投資。
Solidigm 大連晶圓廠隨英特爾 NAND 閃存與固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)一同加入 SK 海力士，目前主要生產(chǎn) 192 層 FG 結(jié)構(gòu) NAND 閃存，貢獻(xiàn) SK 海力士整體閃存生產(chǎn)能力的約三成。
一個(gè) NAND 單元存儲(chǔ)的二進(jìn)制數(shù)據(jù)是“0”還是“1”，取決于其含有的電荷多寡。而在如何存儲(chǔ)電荷這一核心問題上，現(xiàn)有 NAND 大致可劃分為 FG 和 CT（電荷捕獲 / 電荷阱，Charge Trap）兩種流派。
隨著 3D NAND 閃存的發(fā)展，臨近干擾效應(yīng)更低的 CT 結(jié)構(gòu)逐漸取代在 2D NAND 時(shí)代占據(jù)主流的 FG。不過 FG 結(jié)構(gòu)也具有其獨(dú)特優(yōu)勢，更適合每單元比特?cái)?shù)更高的 QLC NAND 閃存。
目前還在主流產(chǎn)品中使用 FG 結(jié)構(gòu)的大型 NAND 制造商僅有原英特爾閃存與 SSD 部門 Solidigm，這意味著 Solidigm 與母公司 SK 海力士采用不同路線，開發(fā)成本較高。
此前有業(yè)界聲音認(rèn)為 SK 海力士將在完成與英特爾的第二階段交易后把 Solidigm 遷移至 CT 陣營。不過近來隨著 AI 服務(wù)器的旺盛需求，單盤容量更大、價(jià)格更低的 QLC NAND 逐漸成為業(yè)界焦點(diǎn)，Solidigm 業(yè)績也因此轉(zhuǎn)好。
消息人士表示，在此背景下 SK 海力士沒有推動(dòng) Solidigm 大連工廠調(diào)整技術(shù)路線的動(dòng)力，而是將增加對該工廠的投資，以加速 PLC NAND 閃存與 128TB 企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤的開發(fā)。
廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。