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2nm 半導(dǎo)體工藝突破極限:成本指數(shù)級暴增,晶圓均價飆升超 3 萬美元

2024/10/4 14:40:33 來源:IT之家 作者:故淵 責(zé)編:故淵

IT之家 10 月 4 日消息,工商時報今天(10 月 4 日)發(fā)布博文,報道稱臺積電的 2nm 工藝技術(shù)推進順利,繼續(xù)按照原計劃于 2025 年在新竹寶山新廠量產(chǎn)。

IT之家援引消息源透露,先進工藝研發(fā)成本呈現(xiàn)指數(shù)級別增長,且研發(fā)周期也不斷拉長至 7~10 年時間,臺積電于 2016 年確認 2nm 工藝研發(fā)路徑。

此外先進工藝研發(fā)費用不斷增加,其中涉及 IP 授權(quán)、軟件驗證、設(shè)計架構(gòu)等多個環(huán)節(jié),28nm 研發(fā)費用為 0.5 億美元,16nm 工藝需要 1 億美元,而推進到 5nm 已經(jīng)達到 5.5 億美元。

建設(shè)相關(guān)代工廠的投入更是巨大,以 3nm 工藝為例,相關(guān)研發(fā)投入需要 40~50 億美元,而建設(shè)一座 3nm 工藝工廠至少需要花費 150~200 億美元。

新的制造架構(gòu)需要設(shè)備、軟件(包括 IP、EDA 工具)和材料的支持,且良率提升難度增加。

2nm 工藝對各個環(huán)節(jié)提出了更高的要求,因此這些成本直接反映在晶圓上,一片晶圓的平均成本預(yù)估超過 3 萬美元(IT之家備注:當(dāng)前約 21.1 萬元人民幣),是常規(guī) 4nm 和 5nm 晶圓成本的兩倍。

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關(guān)鍵詞:晶圓,臺積電

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