IT之家 10 月 8 日消息，參考IT之家此前報道，新存科技 9 月 23 日發(fā)布了其自主研發(fā)的國產(chǎn)首款最大容量新型 3D 存儲器芯片 NM101。該新品采用先進(jìn)工藝制程結(jié)合三維堆疊技術(shù)，單芯片容量達(dá) 64Gb。
新存科技官網(wǎng)現(xiàn)在公布了 NM101 芯片的參數(shù)情況：
可以看到 NM101 采用 SLC 存儲單元類型，最高 IO 速度（I/O 接口速率）3200MT/s，總線位寬為 ×8，IO 為 1.2V，支持 0℃~+70℃ 運(yùn)行溫度。
新存科技表示 NM101 基于新型材料電阻變化原理，支持隨機(jī)讀寫，相比同類產(chǎn)品讀寫速度均可提升 10 倍以上、壽命也可增加 5 倍，可搭配業(yè)界合作伙伴的控制芯片，應(yīng)用于企業(yè)級或消費(fèi)級高性能存儲產(chǎn)品的開發(fā)。
另據(jù)《湖北日報》報道，新存科技的 NM101 芯片屬于相變存儲器（PCM，Phase Change Memory），這點與英特爾、美光合作開發(fā)的 3D XPoint 相似：
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