消息稱三星平澤 P4 廠一期改為混合產(chǎn)線：每月可產(chǎn) 3~4 萬片 DRAM 內(nèi)存晶圓

IT之家 11 月 8 日消息，韓媒 ZDNET Korea 昨日報道稱，三星電子內(nèi)部已于三季度決定調(diào)整平澤 P4 制造綜合體一期（Phase 1）的產(chǎn)能分配，從純 NAND 調(diào)整為 NAND + DRAM。

這也可從該生產(chǎn)線的內(nèi)部代號名稱更改中看出來：該產(chǎn)線原名 P4F，尾部的 F 即指 Flash 閃存；而現(xiàn)名是 P4H，H 是 Hybrid 的簡寫，顯示產(chǎn)線不只支持一個大類的半導體工藝。

平澤 P4 一期現(xiàn)已部分進駐 NAND 閃存生產(chǎn)設備，三星電子目前計劃到年底將該產(chǎn)線 NAND 生產(chǎn)能力提升至每月 1 萬片晶圓，不過由于市場的不確定性，到明年中才有可能為 V9 QLC NAND 等先進產(chǎn)品作進一步投資。

而在 DRAM 生產(chǎn)部分，平澤 P4 一期未來有望具備 3~4 萬片晶圓的月產(chǎn)能，工藝方面則是引入三星目前最為先進的 1a、1b nm（IT之家注：即 14nm 級與 12nm 級），以應對競爭對手的產(chǎn)能擴張，并在三星內(nèi)部其它 DRAM 產(chǎn)線工藝升級之時保證供應充足。

三星電子平澤 P4 制造綜合體總共包含四期生產(chǎn)線，其中三期 DRAM 產(chǎn)線即將開建，二期 Foundry 代工產(chǎn)線則暫緩。

廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時間，結果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。