IT之家 11 月 18 日消息，英特爾昨日發(fā)文介紹了其至強(qiáng) 6 性能核 "Granite Rapids" 處理器支持的新型 DDR5 MRDIMM（IT之家注：多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊）背后的故事。
英特爾 DCAI 事業(yè)部?jī)?nèi)存開發(fā)資深首席工程師 George Vergis 表示，大多數(shù) DIMM 都擁有 2 個(gè) Rank（陣列）以實(shí)現(xiàn)性能和容量間的平衡。而在服務(wù)器處理器支持的傳統(tǒng) RDIMM 上，雖然可以讓獨(dú)立存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)訪問發(fā)生在多個(gè) Rank 間，但卻無法同時(shí)進(jìn)行，導(dǎo)致并行資源無法被充分利用。
這使得 Vergis 想到在 DRAM 模塊上配置 1 個(gè)小型多路復(fù)用器（MUX）接口芯片，從而讓數(shù)據(jù)可以于同一時(shí)刻在兩個(gè) Rank 上并行傳輸。
Vergis 帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)自 2018 年開始研發(fā) MRDIMM，并于 2021 年完成了原型概念驗(yàn)證。英特爾在 2022 年底將 MRDIMM 組件規(guī)格作為新的開放標(biāo)準(zhǔn)捐贈(zèng)給了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織 JEDEC。
在至強(qiáng) 6 性能核處理器上，標(biāo)準(zhǔn) DDR5 RDIMM 僅可實(shí)現(xiàn) 6400MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，而 MRDIMM 在無需調(diào)整主板設(shè)計(jì)的情況下可達(dá)到 8800MT/s，峰值帶寬提高近 40%，緩解了現(xiàn)代處理器核心數(shù)量飆升帶來的每核心內(nèi)存帶寬下降問題。
MRDIMM 尤其適用于科學(xué)計(jì)算和小語(yǔ)言模型、傳統(tǒng)深度學(xué)習(xí)、推薦系統(tǒng)等特定工作負(fù)載，可解決這些工作場(chǎng)景中面臨的內(nèi)存帶寬瓶頸。
英特爾表示，一些領(lǐng)先的存儲(chǔ)廠商已經(jīng)推出 MRDIMM，更多廠商將會(huì)陸續(xù)發(fā)布他們的產(chǎn)品；一些研究機(jī)構(gòu)也正在積極采用支持 MRDIMM 技術(shù)的至強(qiáng) 6 性能核處理器。
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