IT之家 11 月 22 日消息，據(jù)國(guó)內(nèi)碳化硅單晶襯底材料企業(yè)天岳先進(jìn)官方微信公眾號(hào)動(dòng)態(tài)，該企業(yè)在本月中旬于德國(guó)慕尼黑舉行的 Semicon Europe 2024 展覽會(huì)上發(fā)布了業(yè)界首款 300mm N 型（IT之家注：即導(dǎo)電型）碳化硅襯底。
天岳先進(jìn)表示，隨著新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等清潔能源、5G 通訊及高壓智能電網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，滿足高功率、高電壓、高頻率等工作條件的碳化硅基器件的需求也突破式增長(zhǎng)。
而 300mm 碳化硅襯底材料能夠進(jìn)一步擴(kuò)大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，大幅提升合格芯片產(chǎn)量；在同等生產(chǎn)條件下，顯著提升產(chǎn)量，降低單位成本，進(jìn)一步提升經(jīng)濟(jì)效益，為碳化硅材料的更大規(guī)模應(yīng)用提供可能。
天岳先進(jìn)官網(wǎng)資料顯示，該企業(yè)成立于 2010 年，產(chǎn)品包含用于碳化硅（SiC）外延層生長(zhǎng)的 4H 導(dǎo)電型碳化硅單晶襯底和用于氮化鎵（GaN）外延層生長(zhǎng)的 4H 半絕緣型碳化硅單晶襯底。目前天岳先進(jìn)可供應(yīng) 6 英寸和 8 英寸的導(dǎo)電型襯底以及 4 英寸和 6 英寸的半絕緣型襯底。
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