IT之家 11 月 27 日消息，ISSCC 官網(wǎng)現(xiàn)已公布 2025 IEEE ISSCC 國際固態(tài)電路會(huì)議的日程，該會(huì)議將于明年 2 月 16 日~20 日在美國加州舊金山舉行。
包括英特爾 CEO 帕特?基辛格、三星電子 DS 部存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理李禎培在內(nèi)的四位業(yè)內(nèi)人士將在 17 日的全體會(huì)議上發(fā)表演講。帕特?基辛格將介紹 AI 領(lǐng)域各層級(jí)的一系列技術(shù)，李禎培則將聚焦各類 AI 存儲(chǔ)器及其發(fā)展。
在具體會(huì)議日程中，SRAM、非易失性存儲(chǔ)與 DRAM 專題均在 2 月 19 日舉行。
其中臺(tái)積電將介紹存儲(chǔ)密度達(dá) 38.1 Mb / mm2 的 2nm Nanosheet 制程 SRAM，英特爾也將展示采用 BSPDN 背面供電設(shè)計(jì)的 Intel 18A RibbonFET 工藝高密度 SRAM。
而在非易失性存儲(chǔ)與 DRAM 領(lǐng)域，各主題內(nèi)容如下：
三星電子將帶來 28Gb / mm2 密度的 4XX 層堆疊 1Tb 容量 3D TLC NAND，該閃存采用晶圓鍵合技術(shù)，I/O 引腳速率達(dá) 5.6Gb/s（對(duì)應(yīng) 5600MT/s），結(jié)合IT之家此前報(bào)道預(yù)計(jì)對(duì)應(yīng)第 10 代 V-NAND。
鎧俠-西部數(shù)據(jù)聯(lián)盟將介紹 I/O 引腳速率 4.8Gb/s 的 1Tb 3D TLC NAND，該產(chǎn)品讀取操作能效提升了 29%。
在 GDDR7 方面，三星電子將介紹 42.5Gbps 的 24Gb 產(chǎn)品，應(yīng)對(duì)應(yīng)今年 10 月宣布成功開發(fā)的型號(hào)。
三星電子還將展出第 5 代 10nm 級(jí)（1bnm、12nm 級(jí)）工藝的超高速 16Gb LPDDR5-Ultra-Pro DRAM，這一產(chǎn)品的 I/O 引腳速率達(dá) 12.7Gb/s，較已量產(chǎn)的 10.7Gb/s 進(jìn)一步提升。
而 SK 海力士則將帶來 75MB/s 編程吞吐量的 321 層（V9）2Tb QLC NAND，這一堆疊數(shù)量和單元結(jié)構(gòu)的閃存此前已在今年 8 月的 FMS 2024 展會(huì)上亮相。
SK 海力士還將同鎧俠一同介紹雙方合作開發(fā)的新型 64Gb DDR4 STT-MRAM，該存儲(chǔ)器件結(jié)合了交叉點(diǎn)存儲(chǔ)和磁隧道節(jié)結(jié)構(gòu)。
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