IT之家 12 月 16 日消息，根據(jù)美國商務(wù)部當?shù)貢r間 13 日公告，美國政府已同博世就一份《CHIPS》法案補貼達成不具約束力的初步備忘錄，計劃向博世的加州晶圓廠改造項目提供 2.25 億美元（IT之家備注：當前約 16.39 億元人民幣）直接資金和 3.5 億美元（當前約 25.49 億元人民幣）貸款。
博世在 2023 年收購了 TSI Semiconductors，取得 TSI 加州羅斯維爾 8 英寸（200mm）晶圓廠所有權(quán)，并表示將把該晶圓廠改造為 SiC 碳化硅生產(chǎn)設(shè)施，目標 2026 年投產(chǎn)。
加州羅斯維爾晶圓廠是博世在美首個半導體生產(chǎn)基地。該改造項目耗資 19 億美元（當前約 138.37 億元人民幣），將導入最先進的碳化硅生產(chǎn)工藝。美國商務(wù)部表示，該晶圓廠滿載時有望生產(chǎn)博世絕大部分碳化硅半導體，并占到美國碳化硅器件總產(chǎn)能的 40% 以上。
除直接資金和貸款以外，博世還計劃向美國財政部申請相當于合格資本支出額 25% 的先進制造投資抵免。
博世移動電子部門總裁 Michael Budde 表示：
在美國生產(chǎn)碳化硅芯片是我們加強半導體產(chǎn)品組合和支持當?shù)乜蛻舻膽?zhàn)略計劃的關(guān)鍵部分。
碳化硅芯片有助于在電池電動汽車（BEV）和插電式混合動力汽車（PHEV）中實現(xiàn)更大的續(xù)航里程和更高效的充電，從而為消費者提供負擔得起的電動汽車選擇。
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