IT之家 1 月 5 日消息，外媒 SamMobile 發(fā)文，透露聯(lián)發(fā)科已逐步將重心移向開發(fā)下一代天璣 9500 芯片，相關(guān)芯片將于今年末至明年初亮相。
最初聯(lián)發(fā)科計(jì)劃相關(guān)芯片采用臺積電 2nm 工藝制造，但考慮到相關(guān)工藝價(jià)格高昂，且蘋果同樣將在 M5 系列芯片中引入相關(guān)工藝占用產(chǎn)能，因此聯(lián)發(fā)科出于成本和產(chǎn)能考慮，選擇 N3P 工藝制造天璣 9500。
據(jù)介紹，臺積電的 2nm 工藝引入了一種新的晶體管結(jié)構(gòu) —— 環(huán)繞柵極（IT之家注：Gate-All-Around, GAA）。GAA 晶體管通過垂直排列的水平納米片，在四個側(cè)面包圍通道，而前代的鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）僅能覆蓋三面。GAA 晶體管具有更低的漏電率和更高的驅(qū)動電流，從而提升了性能。
而如今天璣 9500 將采用 N3P 工藝，雖然 N3P 的能效可能不如臺積電新一代 2nm 制程節(jié)點(diǎn)，但仍然比天璣 9400 使用的 N3E 有所改進(jìn)，具體來說，天璣 9500 據(jù)稱將包括兩個 Arm Cortex-X930 超大核和六個 Arm Cortex-A730 大核，頻率將超過 4GHz，并支持可擴(kuò)展矩陣擴(kuò)展（SME）。
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