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消息稱美光將加入 16-Hi HBM3E 戰(zhàn)場,已在進(jìn)行最終設(shè)備評估

2025/1/16 10:08:32 來源:IT之家 作者:溯波(實(shí)習(xí)) 責(zé)編:溯波

IT之家 1 月 16 日消息,韓國媒體《朝鮮日報(bào)》今日報(bào)道稱,DRAM 內(nèi)存巨頭之一的美光也將加入 16-Hi(IT之家注:即 16 層堆疊)HBM3E 內(nèi)存的競爭,已在進(jìn)行最終設(shè)備評估,計(jì)劃年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

▲ 美光現(xiàn)有 12Hi HBM3E

三大 DRAM 原廠中 SK 海力士在 2024 年 11 月率先宣布了其 48GB 16-Hi HBM3E 產(chǎn)品,并表示該型內(nèi)存相較此前的 12Hi 32GB HBM3E 在 AI 訓(xùn)練方面性能提升了 18%。推理上的改進(jìn)更是達(dá)到了 32%。另一家企業(yè)三星電子也是在今年量產(chǎn) 16-Hi HBM3E。

美光曾表示該企業(yè)的目標(biāo)是將其在 HBM 細(xì)分市場的占有率從此前的低個位數(shù)百分比提升至與整體 DRAM 領(lǐng)域相當(dāng)?shù)?20%。為此美光正積極在全球擴(kuò)張產(chǎn)能:就在今年初,美光宣布其位于新加坡的 HBM 內(nèi)存先進(jìn)封裝工廠動工,目標(biāo)是 2026 年投運(yùn)。

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關(guān)鍵詞:內(nèi)存,美光,HBM3E

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