IT之家 1 月 26 日消息，泛林集團 Lam Research 美國加州當?shù)貢r間本月 14 日宣布，其干式光刻膠技術成功通過 imec 認證，可直接在邏輯半導體后道工藝（IT之家注：BEOL，互聯(lián)層制作）中實現(xiàn) 28nm 間距的直接圖案化，能滿足 2nm 及以下先進制程的需求。
目前在先進制程領域常用的光刻膠為基于化學放大原理的濕式旋涂光刻膠，而泛林的干式光刻膠則是由小于 0.5nm 的金屬有機微粒單元氣相沉積而來。
泛林宣稱其干式光刻膠具有更優(yōu)秀的光子捕獲能力，同時光刻膠層的厚度也更容易調控。在具體表現(xiàn)方面，這一新型光刻膠可克服 EUV 光刻領域曝光劑量和缺陷率這對主要矛盾，同時較濕化學光刻膠更為環(huán)保。
泛林干式光刻膠在后道工藝中的圖案化能力目前已在 0.33 (Low) NA EUV 光刻機上得到了驗證，未來還可擴展至逐步投入使用的 0.55 (High) NA EUV 光刻平臺上。
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