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IT之家 1 月 31 日消息，據(jù)外媒 Tom's shardware 報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前已開始出貨第五代 3D TLC NAND 閃存，共有 294 層，以及 232 個(gè)有源層。
外媒認(rèn)為長(zhǎng)江存儲(chǔ)在其閃存中使用了晶棧 4.0（IT之家注：Xtacking 4.0）架構(gòu)，利用混合鍵合技術(shù)將閃存陣列與 CMOS 邏輯和接口連接起來，以最大限度地提高存儲(chǔ)密度和 I/O 性能。
具體規(guī)格方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)第五代 3D TLC NAND 閃存的位密度據(jù)稱超過了 20Gb / mm2，略低于鎧俠和西部數(shù)據(jù) BiCS8 QLC NAND 閃存的 22.9Gb / mm2。
外媒稱，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功將其閃存密度提高到行業(yè)相同的水平，該公司現(xiàn)已成為全球 NAND 市場(chǎng)的有力競(jìng)爭(zhēng)者。
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