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IT之家 2 月 17 日消息，美光執(zhí)行副總裁兼首席財務(wù)官 Mark Murphy 上周在出席分析機(jī)構(gòu)的 Wolfe Research 的會議時表示，美光的 12 層堆疊 HBM 內(nèi)存產(chǎn)品（12Hi HBM3E）即將放量。
美光宣稱其 12Hi HBM3E 在容量是競爭對手產(chǎn)品 1.5 倍的同時功耗也比競品低 20%。
Mark Murphy 表示，無論目前在 HBM 業(yè)務(wù)上相對掙扎的三星電子是否能恢復(fù)過來，美光的目標(biāo)都是在 HBM 領(lǐng)域取得同整體 DRAM 相當(dāng)?shù)氖袌稣急?/strong>（IT之家注：即 20%）。而 HBM 產(chǎn)能的提升也將改善美光整體的財務(wù)數(shù)據(jù)。
對于 NAND 閃存，這位 CFO 認(rèn)為該行業(yè)的整體狀況仍然疲軟，因此美光選擇減慢制程遷移（如升級至最新 G9 278 層節(jié)點）以相對降低供應(yīng)能力，從而推進(jìn)庫存消耗。整體來看 2025 年的情況將會逐步轉(zhuǎn)好。
在財務(wù)數(shù)據(jù)上，Mark Murphy 預(yù)估該企業(yè)在 2024 財年第三財季（截止于 2025 年 3 月末）的毛利率將較第二財季有所下降，這主要是因為客戶端出貨規(guī)模提升但產(chǎn)品價格較低以及整體 NAND 行情。
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