IT之家 2 月 20 日消息，鎧俠（Kioxia）攜手閃迪（SanDisk），在 2025 年 IEEE ISSCC 學(xué)術(shù)會議上，針對 AI 應(yīng)用場景，推出全新 3D 閃存解決方案，將 NAND 接口速度提升至驚人的 4.8 Gbps。
該 3D 閃存解決方案采用 Toggle DDR6.0 接口標(biāo)準(zhǔn)和 SCA 協(xié)議，NAND 接口速度達(dá)到 4.8Gb/s，比第八代產(chǎn)品提升 33%。
此外該方案還具備功耗低（PI-LTT 技術(shù)降低數(shù)據(jù)輸入 / 輸出功耗，輸入功耗降低 10%，輸出功耗降低 34%）、密度高（332 層堆疊和優(yōu)化平面布局，位密度提升 59%）等優(yōu)點(diǎn)。
鎧俠和閃迪還展望第九代和第十代 3D 閃存產(chǎn)品，第九代產(chǎn)品利用 CBA 技術(shù)融合現(xiàn)有存儲單元技術(shù)和新 CMOS 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高性價比。第十代產(chǎn)品將進(jìn)一步提升容量、速度和功耗表現(xiàn)，滿足未來數(shù)據(jù)中心和 AI 應(yīng)用需求。
IT之家注：CBA 技術(shù)是指結(jié)合 CMOS 創(chuàng)新與成熟的存儲單元設(shè)計(jì)，打造兼具高性能、低功耗和經(jīng)濟(jì)性的解決方案。
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