IT之家 3 月 12 日消息，韓媒 FNnews 昨日（3 月 11 日）發(fā)布博文，報道稱三星電子本月初在其華城園區(qū)引入了 ASML 生產(chǎn)的 High NA 極紫外光刻（EUV）設(shè)備，希望提升 2 納米及以下制程的競爭力。
ASML 的 High NA EUV 設(shè)備“EXE:5000”是全球唯一能夠提供此類設(shè)備的供應(yīng)商，單臺價格高達 5000 億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 24.88 億元人民幣）。該設(shè)備通過增大透鏡和反射鏡尺寸，將數(shù)值孔徑（NA）從 0.33 提升至 0.55，顯著提高了光刻精度，是 2 納米及以下制程的必備工具。
與現(xiàn)有 EUV 設(shè)備相比，High NA EUV 能夠?qū)崿F(xiàn)更窄的電路線寬，從而降低功耗并提升數(shù)據(jù)處理速度，三星自去年起已開始評估該設(shè)備的工藝應(yīng)用，將其用于下一代半導(dǎo)體制造。
三星電子計劃在完成設(shè)備安裝后，全面構(gòu)建 2 納米工藝生態(tài)系統(tǒng)。三星晶圓代工業(yè)務(wù)部負責(zé)人韓鎮(zhèn)萬強調(diào)，盡管公司在環(huán)繞柵極（GAA）工藝轉(zhuǎn)換上領(lǐng)先，但在商業(yè)化方面仍需加速，2 納米工藝的快速量產(chǎn)是其首要任務(wù)。
全球半導(dǎo)體巨頭紛紛加速引入 High-NA EUV 設(shè)備，英特爾（Intel）在 2023 年率先采購了 ASML 的首臺 High-NA EUV 設(shè)備，并已簽訂合同購買總計 6 臺。據(jù)路透社報道，英特爾的前兩臺 High-NA EUV 設(shè)備已投入生產(chǎn)，每季度可處理 3 萬片晶圓。
據(jù) BITS&CHIPS 報道，英特爾預(yù)計將率先獲得 EXE:5200 設(shè)備用于其 14A 節(jié)點，而臺積電則計劃在 2028 年啟動 High-NA 量產(chǎn)。
據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)顯示，盡管三星在 2023 年第四季度全球晶圓代工市場排名第二，但其收入環(huán)比下降 1.4%，至 32.6 億美元，市場份額僅為 8.1%。相比之下，臺積電（TSMC）以 67% 的市場份額保持領(lǐng)先地位。
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