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消息稱英偉達高管再訪三星封裝工廠,HBM3E 供應(yīng)進入關(guān)鍵階段

2025/3/13 11:54:32 來源:IT之家 作者:故淵 責(zé)編:故淵

IT之家 3 月 13 日消息,韓媒 FNnews 昨日(3 月 12 日)發(fā)布博文,報道稱英偉達高管于 3 月 10 日訪問了三星電子位于天安的封裝工廠,審計和測試第五代高帶寬內(nèi)存 HBM3E。

三星計劃在今年第一季度末向主要客戶供應(yīng) HBM3E 8 層產(chǎn)品,并力爭在上半年完成 12 層產(chǎn)品的交付。為應(yīng)對緊張的交付期限,三星甚至將研發(fā)下一代 HBM4 的部分人力投入到 HBM3E 項目中,此次訪問被認為 HBM3E 供應(yīng)進入最后沖刺階段。

IT之家援引博文介紹,英偉達高管于 3 月 10 日訪問三星天安工廠,重點審計 HBM3E 的封裝工藝。這是繼 2024 年 12 月第一次實地考察后的第二次訪問,表明英偉達高度重視產(chǎn)品質(zhì)量。

李在镕三星電子會長于 2023 年在忠南三星電子天安校區(qū)視察封裝生產(chǎn)線的場景。圖源:三星電子

三星在上月的財報電話會議中表示,計劃在 2025 年第 1 季度末向“關(guān)鍵客戶”供應(yīng) HBM3E(8 層)產(chǎn)品,并計劃在今年上半年內(nèi)交付 HBM3E 12 層芯片,以滿足客戶需求。

報道稱三星為提升 HBM3E 的良率和穩(wěn)定性,甚至將原本專注于下一代 HBM4 的研發(fā)團隊調(diào)至 HBM3E 項目,此外,三星還在優(yōu)化先進 DRAM 的良率,以確保交付順利進行。

HBM3E 作為高帶寬內(nèi)存領(lǐng)域的關(guān)鍵產(chǎn)品,其供應(yīng)情況將直接影響三星與 SK 海力士在 HBM 市場的競爭格局。三星原本將 HBM4 視為市場決勝點,但由于客戶需求迅速轉(zhuǎn)向 HBM3E 12 層產(chǎn)品,公司目前優(yōu)先聚焦于 HBM3E 的質(zhì)量測試和交付,此次英偉達的審計結(jié)果,將決定三星能否在激烈的市場競爭中占據(jù)有利位置。

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關(guān)鍵詞:三星,AI,HBM3E

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