IT之家 4 月 9 日消息，根據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)日報報道，三星電子開始研發(fā) 1.0nm 晶圓代工工藝，以圖在與臺積電的競爭中實現(xiàn)“技術(shù)翻盤”。
根據(jù)該日報報道，三星電子半導(dǎo)體研究所近日正式著手研發(fā) 1.0nm 工藝，部分曾參與 2nm 等尖端制程的研發(fā)人員被抽調(diào)，組建了專項項目團(tuán)隊。在目前三星公開的晶圓代工工藝路線圖中，計劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm 工藝為目前最尖端的工藝。
根據(jù)該日報所述，1nm 工藝需要打破現(xiàn)有設(shè)計框架，引入新技術(shù)概念，以及引入高數(shù)值孔徑極紫外（High-NA EUV）曝光設(shè)備等下一代設(shè)備。三星預(yù)計，量產(chǎn)時間將在 2029 年之后。
目前，三星在量產(chǎn)中的 3nm 工藝，以及預(yù)計在今年量產(chǎn)的 2nm 工藝，首爾經(jīng)濟(jì)日報認(rèn)為技術(shù)上仍落后于臺積電，尤其是 2nm 工藝方面，臺積電的良率已突破 60%，存在顯著差距。因此，三星對 1nm 工藝寄予厚望，三星會長李在镕上月向高管們強(qiáng)調(diào)要“延續(xù)重視技術(shù)的傳統(tǒng)”，并表示“以前所未有的技術(shù)引領(lǐng)未來”。
根據(jù)IT之家此前援引韓媒 The Bell 報道，三星目前最新的 2nm SF2 工藝初始良率“高于預(yù)期”，搭載該工藝的 Exynos 2600 芯片試產(chǎn)良率為 30%。
廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。