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![Rapidus 接收日本首臺(tái)量產(chǎn)用 EUV 光刻機(jī) ASML NXE:3800E]()
Rapidus 接收日本首臺(tái)量產(chǎn)用 EUV 光刻機(jī) ASML NXE:3800E
NXE:3800E 是 ASML EXE 系列 0.33 (Low) NA EUV 光刻機(jī)的最新型號(hào)，能滿足 Rapidus 首代量產(chǎn)工藝 2nm 的制造需求。 -
![日本首臺(tái) ASML EUV 光刻機(jī)下月中旬運(yùn)抵：用于 Rapidus 晶圓廠試產(chǎn)]()
日本首臺(tái) ASML EUV 光刻機(jī)下月中旬運(yùn)抵：用于 Rapidus 晶圓廠試產(chǎn)
除 Rapidus 外，美光日本廣島工廠和臺(tái)積電控股子公司 JASM 的第二晶圓廠也將陸續(xù)導(dǎo)入 EUV 光刻設(shè)備。 -
![在 AI 需求的推動(dòng)下，ASML 預(yù)計(jì) 2030 年銷售額達(dá)到 440 億至 600 億歐元]()
在 AI 需求的推動(dòng)下，ASML 預(yù)計(jì) 2030 年銷售額達(dá)到 440 億至 600 億歐元
歐洲最大的科技公司、計(jì)算機(jī)芯片設(shè)備制造商 ASML 周四表示，預(yù)計(jì)未來(lái)五年銷售額將增長(zhǎng) 8% 至 14%，因?yàn)槿斯ぶ悄艿呐畈l(fā)展推動(dòng)了對(duì)其最先進(jìn)工具的強(qiáng)勁需求。 -
![TechInsights：預(yù)計(jì) ASML High NA EUV 光刻機(jī)功耗約 1400 千瓦]()
TechInsights：預(yù)計(jì) ASML High NA EUV 光刻機(jī)功耗約 1400 千瓦
目前有 31 家晶圓廠采用 EUV 光刻，到 2030 年將增長(zhǎng)至 59 家，而 EUV 光刻設(shè)備的數(shù)量增幅則將超過(guò) 100%。11月04日 -
![消息稱三星電子 2025 年初引進(jìn)其首臺(tái) ASML High NA EUV 光刻機(jī)]()
消息稱三星電子 2025 年初引進(jìn)其首臺(tái) ASML High NA EUV 光刻機(jī)
由于三星目前半導(dǎo)體先進(jìn)制程路線圖已規(guī)劃至 SF1.4 節(jié)點(diǎn),采用 High-NA 光刻的制程最早也需要等到 SF1。10月30日 -
![尼康官宣旗下首款半導(dǎo)體后端工藝用光刻機(jī)：1.0μm 分辨率，2026 財(cái)年發(fā)售]()
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![光刻機(jī)巨頭阿斯麥下調(diào) 2025 年銷售預(yù)期，股價(jià)暴跌 16%]()
光刻機(jī)巨頭阿斯麥下調(diào) 2025 年銷售預(yù)期，股價(jià)暴跌 16%
光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）周二預(yù)測(cè)，由于半導(dǎo)體市場(chǎng)部分領(lǐng)域持續(xù)疲軟，2025 年銷售額和訂單將低于預(yù)期，這使其股價(jià)創(chuàng)下 1998 年以來(lái)的最大單日跌幅。 -
![英特爾確認(rèn) ASML 第二臺(tái) High NA EUV 光刻機(jī)完成安裝]()
英特爾確認(rèn) ASML 第二臺(tái) High NA EUV 光刻機(jī)完成安裝
用于 High NA 的光刻掩模檢測(cè)工作已經(jīng)按計(jì)劃開(kāi)始進(jìn)行。因此，英特爾無(wú)需做太多輔助支持工作即可將其投入生產(chǎn)。 -
![消息稱臺(tái)積電首臺(tái) ASML High NA EUV 光刻系統(tǒng)本月進(jìn)機(jī)]()
消息稱臺(tái)積電首臺(tái) ASML High NA EUV 光刻系統(tǒng)本月進(jìn)機(jī)
據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》今天下午援引業(yè)界消息稱，臺(tái)積電首臺(tái)ASML High NA EUV光刻系統(tǒng)設(shè)備本月將進(jìn)機(jī)，這將使其“持續(xù)領(lǐng)先”三星晶圓代工的交機(jī)進(jìn)度。 -
![英特爾計(jì)劃與日本 AIST 合作建立芯片研究中心]()
英特爾計(jì)劃與日本 AIST 合作建立芯片研究中心
設(shè)備制造商和材料公司將付費(fèi)使用該設(shè)施進(jìn)行原型設(shè)計(jì)和測(cè)試。據(jù)介紹，這將是日本第一個(gè)行業(yè)成員能夠共同使用極紫外光刻設(shè)備的中心。 -
![臺(tái)積電：仍在評(píng)估 High NA EUV 光刻機(jī)，采用時(shí)間未定]()
臺(tái)積電：仍在評(píng)估 High NA EUV 光刻機(jī)，采用時(shí)間未定
臺(tái)積電海外營(yíng)運(yùn)資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)張曉強(qiáng)表示，仍在評(píng)估 High NA EUV 應(yīng)用于未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)的成本效益與可擴(kuò)展性，目前采用時(shí)間未定。 -
![設(shè)備成本漸成先進(jìn)制程重要因素，ASML Hyper NA EUV 光刻機(jī)價(jià)格恐破萬(wàn)億韓元大關(guān)]()
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![消息稱臺(tái)積電今明兩年將接收超 60 臺(tái) EUV 光刻機(jī)，相關(guān)投資超四千億新臺(tái)幣]()
消息稱臺(tái)積電今明兩年將接收超 60 臺(tái) EUV 光刻機(jī)，相關(guān)投資超四千億新臺(tái)幣
臺(tái)積電今明兩年還將下達(dá)約 30 和 35 臺(tái) EUV 光刻機(jī)訂單，大部分將從 2026 年開(kāi)始交付。 -
![日本三井化學(xué)宣布量產(chǎn)新一代 CNT 光刻薄膜，支持 ASML 新一代光刻機(jī)]()
日本三井化學(xué)宣布量產(chǎn)新一代 CNT 光刻薄膜，支持 ASML 新一代光刻機(jī)
三井化學(xué)預(yù)期年產(chǎn)能力為 5000 張，生產(chǎn)線預(yù)計(jì)于 2025 年 12 月完工，可用于荷蘭 ASML 將推出的下一代高數(shù)值孔徑、高輸出 EUV 光刻機(jī)提供支持。 -
![光刻機(jī)巨頭 ASML 聯(lián)合創(chuàng)始人維姆?特魯斯特逝世，享年 98 歲]()
光刻機(jī)巨頭 ASML 聯(lián)合創(chuàng)始人維姆?特魯斯特逝世，享年 98 歲
光刻機(jī)巨頭 ASML 公司 6 月 11 日在社交媒體發(fā)文，悼念 ASML 創(chuàng)始人之一維姆?特羅斯（Wim Troost）離世。另?yè)?jù)《埃因霍溫日?qǐng)?bào)》訃告，Wim 于上周五（6 月 8 日）上午逝世，享年 98 歲。 -
![ASML 證實(shí)今年將向臺(tái)積電交付價(jià)值 3.8 億美元的高 NA EUV 光刻機(jī)]()
ASML 證實(shí)今年將向臺(tái)積電交付價(jià)值 3.8 億美元的高 NA EUV 光刻機(jī)
ASML 已經(jīng)向英特爾交付世界首臺(tái)商用 High-NA EUV 光刻機(jī)并完成安裝，英特爾院士馬克?菲利普斯（Mark Phillips）確認(rèn)這臺(tái)機(jī)器將于年內(nèi)正式啟用。 -
![佳能推出 FPD 曝光設(shè)備 MPAsp-E1003H，可用于生產(chǎn)車載大型特殊顯示器及智能手機(jī)顯示器]()
佳能推出 FPD 曝光設(shè)備 MPAsp-E1003H，可用于生產(chǎn)車載大型特殊顯示器及智能手機(jī)顯示器
佳能表示，這款產(chǎn)品采用了投影光學(xué)系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)1.5μm（L／S）的高分辨率，且一次曝光幅度擴(kuò)大約1.2倍，使生產(chǎn)能力將進(jìn)一步提升。 -
![Rapidus 確認(rèn)將在 2nm 采用 0.33NA EUV 光刻機(jī)，已規(guī)劃未來(lái) 1.4nm 節(jié)點(diǎn)]()
Rapidus 確認(rèn)將在 2nm 采用 0.33NA EUV 光刻機(jī)，已規(guī)劃未來(lái) 1.4nm 節(jié)點(diǎn)
Rapidus 目前對(duì)在其 2nm 節(jié)點(diǎn)使用的 0.33NA (Low NA) EUV 光刻解決方案“非常滿意” -
![ASML 著眼未來(lái)：考慮推出通用 EUV 光刻平臺(tái)，覆蓋不同數(shù)值孔徑]()
ASML 著眼未來(lái)：考慮推出通用 EUV 光刻平臺(tái)，覆蓋不同數(shù)值孔徑
此舉可降低 EUV 機(jī)臺(tái)成本，同時(shí)方便新技術(shù)在不同數(shù)值孔徑光刻機(jī)間移植。 -
![英特爾包圓 ASML 初始產(chǎn)能，獲得今年全部高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機(jī)]()
英特爾包圓 ASML 初始產(chǎn)能，獲得今年全部高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機(jī)
英特爾近日宣布完成世界首臺(tái)商用高數(shù)值孔徑（High NA）EUV 光刻機(jī)的安裝，而這臺(tái)耗資約 3.5 億美元（當(dāng)前約 25.23 億元人民幣）的龐然大物將于年內(nèi)正式啟用。
