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![TechInsights：預計 ASML High NA EUV 光刻機功耗約 1400 千瓦]()
TechInsights：預計 ASML High NA EUV 光刻機功耗約 1400 千瓦
目前有 31 家晶圓廠采用 EUV 光刻，到 2030 年將增長至 59 家，而 EUV 光刻設備的數(shù)量增幅則將超過 100%。11月04日 -
![消息稱三星電子 2025 年初引進其首臺 ASML High NA EUV 光刻機]()
消息稱三星電子 2025 年初引進其首臺 ASML High NA EUV 光刻機
由于三星目前半導體先進制程路線圖已規(guī)劃至 SF1.4 節(jié)點,采用 High-NA 光刻的制程最早也需要等到 SF1。10月30日 -
![尼康官宣旗下首款半導體后端工藝用光刻機：1.0μm 分辨率，2026 財年發(fā)售]()
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![光刻機巨頭阿斯麥下調(diào) 2025 年銷售預期，股價暴跌 16%]()
光刻機巨頭阿斯麥下調(diào) 2025 年銷售預期，股價暴跌 16%
光刻機巨頭阿斯麥（ASML）周二預測，由于半導體市場部分領域持續(xù)疲軟，2025 年銷售額和訂單將低于預期，這使其股價創(chuàng)下 1998 年以來的最大單日跌幅。 -
![英特爾確認 ASML 第二臺 High NA EUV 光刻機完成安裝]()
英特爾確認 ASML 第二臺 High NA EUV 光刻機完成安裝
用于 High NA 的光刻掩模檢測工作已經(jīng)按計劃開始進行。因此，英特爾無需做太多輔助支持工作即可將其投入生產(chǎn)。 -
![消息稱臺積電首臺 ASML High NA EUV 光刻系統(tǒng)本月進機]()
消息稱臺積電首臺 ASML High NA EUV 光刻系統(tǒng)本月進機
據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》今天下午援引業(yè)界消息稱，臺積電首臺ASML High NA EUV光刻系統(tǒng)設備本月將進機，這將使其“持續(xù)領先”三星晶圓代工的交機進度。 -
![英特爾計劃與日本 AIST 合作建立芯片研究中心]()
英特爾計劃與日本 AIST 合作建立芯片研究中心
設備制造商和材料公司將付費使用該設施進行原型設計和測試。據(jù)介紹，這將是日本第一個行業(yè)成員能夠共同使用極紫外光刻設備的中心。 -
![臺積電：仍在評估 High NA EUV 光刻機，采用時間未定]()
臺積電：仍在評估 High NA EUV 光刻機，采用時間未定
臺積電海外營運資深副總經(jīng)理暨副共同營運長張曉強表示，仍在評估 High NA EUV 應用于未來制程節(jié)點的成本效益與可擴展性，目前采用時間未定。 -
![設備成本漸成先進制程重要因素，ASML Hyper NA EUV 光刻機價格恐破萬億韓元大關]()
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![消息稱臺積電今明兩年將接收超 60 臺 EUV 光刻機，相關投資超四千億新臺幣]()
消息稱臺積電今明兩年將接收超 60 臺 EUV 光刻機，相關投資超四千億新臺幣
臺積電今明兩年還將下達約 30 和 35 臺 EUV 光刻機訂單，大部分將從 2026 年開始交付。 -
![日本三井化學宣布量產(chǎn)新一代 CNT 光刻薄膜，支持 ASML 新一代光刻機]()
日本三井化學宣布量產(chǎn)新一代 CNT 光刻薄膜，支持 ASML 新一代光刻機
三井化學預期年產(chǎn)能力為 5000 張，生產(chǎn)線預計于 2025 年 12 月完工，可用于荷蘭 ASML 將推出的下一代高數(shù)值孔徑、高輸出 EUV 光刻機提供支持。 -
![光刻機巨頭 ASML 聯(lián)合創(chuàng)始人維姆?特魯斯特逝世，享年 98 歲]()
光刻機巨頭 ASML 聯(lián)合創(chuàng)始人維姆?特魯斯特逝世，享年 98 歲
光刻機巨頭 ASML 公司 6 月 11 日在社交媒體發(fā)文，悼念 ASML 創(chuàng)始人之一維姆?特羅斯（Wim Troost）離世。另據(jù)《埃因霍溫日報》訃告，Wim 于上周五（6 月 8 日）上午逝世，享年 98 歲。 -
![ASML 證實今年將向臺積電交付價值 3.8 億美元的高 NA EUV 光刻機]()
ASML 證實今年將向臺積電交付價值 3.8 億美元的高 NA EUV 光刻機
ASML 已經(jīng)向英特爾交付世界首臺商用 High-NA EUV 光刻機并完成安裝，英特爾院士馬克?菲利普斯（Mark Phillips）確認這臺機器將于年內(nèi)正式啟用。 -
![佳能推出 FPD 曝光設備 MPAsp-E1003H，可用于生產(chǎn)車載大型特殊顯示器及智能手機顯示器]()
佳能推出 FPD 曝光設備 MPAsp-E1003H，可用于生產(chǎn)車載大型特殊顯示器及智能手機顯示器
佳能表示，這款產(chǎn)品采用了投影光學系統(tǒng)，可實現(xiàn)1.5μm（L／S）的高分辨率，且一次曝光幅度擴大約1.2倍，使生產(chǎn)能力將進一步提升。 -
![Rapidus 確認將在 2nm 采用 0.33NA EUV 光刻機，已規(guī)劃未來 1.4nm 節(jié)點]()
Rapidus 確認將在 2nm 采用 0.33NA EUV 光刻機，已規(guī)劃未來 1.4nm 節(jié)點
Rapidus 目前對在其 2nm 節(jié)點使用的 0.33NA (Low NA) EUV 光刻解決方案“非常滿意” -
![ASML 著眼未來：考慮推出通用 EUV 光刻平臺，覆蓋不同數(shù)值孔徑]()
ASML 著眼未來：考慮推出通用 EUV 光刻平臺，覆蓋不同數(shù)值孔徑
此舉可降低 EUV 機臺成本，同時方便新技術在不同數(shù)值孔徑光刻機間移植。 -
![英特爾包圓 ASML 初始產(chǎn)能，獲得今年全部高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機]()
英特爾包圓 ASML 初始產(chǎn)能，獲得今年全部高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機
英特爾近日宣布完成世界首臺商用高數(shù)值孔徑（High NA）EUV 光刻機的安裝，而這臺耗資約 3.5 億美元（當前約 25.23 億元人民幣）的龐然大物將于年內(nèi)正式啟用。 -
![光刻機巨頭 ASML 核心業(yè)務將留在荷蘭，擬在埃因德霍芬大舉投資]()
光刻機巨頭 ASML 核心業(yè)務將留在荷蘭，擬在埃因德霍芬大舉投資
荷蘭光刻機制造商 ASML 與埃因德霍芬市政府簽署了一份意向書，計劃擴大在該市的業(yè)務規(guī)模。此舉可能終結(jié)此前有關 ASML 將部分業(yè)務遷至海外的猜測。 -
![英特爾 High NA EUV 光刻機今年晚些時候投入研發(fā)工作，有望在三代節(jié)點沿用]()
英特爾 High NA EUV 光刻機今年晚些時候投入研發(fā)工作，有望在三代節(jié)點沿用
英特爾上周宣布其完成世界首臺商用 High NA EUV 光刻機的安裝，將在 14A 節(jié)點正式商用。 -
![英特爾宣布世界首臺商用 High NA EUV 光刻機完成組裝，計劃明年投入研發(fā)使用]()
英特爾宣布世界首臺商用 High NA EUV 光刻機完成組裝，計劃明年投入研發(fā)使用
High-NA EUV 光刻機可在二維尺度上實現(xiàn) 190% 的密度提升，延續(xù)摩爾定律。
