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![跟隨鎧俠增產(chǎn)步伐，消息稱三星電子調升西安廠 NAND 閃存開工率至 70%]()
跟隨鎧俠增產(chǎn)步伐，消息稱三星電子調升西安廠 NAND 閃存開工率至 70%
根據(jù)日媒此前報道，鎧俠計劃月內(nèi)將 NAND 產(chǎn)能開工率提升至 90%，但 SK 海力士可能延續(xù)減產(chǎn)勢頭。 -
![TrendForce：全球 NAND 閃存收入 Q2 環(huán)比增長 7.4%，但市場需求仍低迷]()
TrendForce：全球 NAND 閃存收入 Q2 環(huán)比增長 7.4%，但市場需求仍低迷
TrendForce 表示，自第二季度起，三星加入減產(chǎn)行列，且預期第三季將擴大減產(chǎn)幅度，供給收斂的同時也在醞釀漲價，供過于求態(tài)勢有望因此獲得改善。Tags：TrendForce，NAND 閃存2023年09月13日 -
![消息稱三星電子、SK 海力士等減產(chǎn) NAND 閃存將“倒逼行業(yè)明年迎來漲價”]()
消息稱三星電子、SK 海力士等減產(chǎn) NAND 閃存將“倒逼行業(yè)明年迎來漲價”
據(jù)外媒 BusinessKorea 報道，在市場需求未明顯好轉的情況下，三星電子和 SK 海力士正面臨不小的壓力，庫存依舊處在高位，下半年考慮將繼續(xù)減產(chǎn)。而據(jù)外媒引用供應鏈消息表示，今年第三季度 DRAM 芯片的平均價格將延續(xù)下跌態(tài)勢，環(huán)比跌幅 5%，超出此前預期的 3%。當下產(chǎn)業(yè)預估的情況是“存儲芯片價格明年年初會上漲”，不過外媒表示，若價格跌勢未能按預期扭轉，相關產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品“漲價的時間點將不可避免地延后”。Tags：nand 閃存2023年08月23日 -
![SK 海力士宣布量產(chǎn) 238 層 4D NAND 閃存：速度提升 50% 達 2.4Gbps，已率先在手機測試]()
SK 海力士宣布量產(chǎn) 238 層 4D NAND 閃存：速度提升 50% 達 2.4Gbps，已率先在手機測試
據(jù)介紹，238 層 NAND 閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的 176 層提升了 34%。此產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒 2.4Gb（IT之家注：千兆比特），號稱比上一代的速度快 50%，并且改善了約 20% 的讀寫性能。 -
![SK 海力士擬年內(nèi)試產(chǎn) 238 層 NAND 閃存]()
SK 海力士擬年內(nèi)試產(chǎn) 238 層 NAND 閃存
SK 海力士在近日舉行的二季度財報電話會議上透露，計劃在年內(nèi)完成 238 層 NAND 試產(chǎn)，并在 2023 年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。針對美光近期量產(chǎn) 232 層 NAND 的動態(tài)，海力士方面表示各家廠商產(chǎn)品發(fā)布節(jié)奏不同，存儲市場目前應專注于提高盈利能力
