在Hot Chip2016大會中，我們可以見到不少關于GDDR5、DDR5以及HBM3的消息。
目前主流內存規(guī)格為DDR4、GDDR5X、GDDR5以及LPDDR4，還有HBM2，但科技的腳步一直往前走，所以我們將會在未來數(shù)年內見到DDR5、GDDR6、LODDR5以及HBM3出現(xiàn)。
我們最快會在2017年見到GDDR6、LPDDR5以及DDR5內存規(guī)格。
從既有的規(guī)劃來看，GDDR6、LPDDR5以及DDR5內存規(guī)格會提供更佳的性能表現(xiàn)，當然在功耗部分也較過去要低不少。全新的GDDR6可以達到14Gbps，要比GDDR5的10Gbps和GDDR5X的12Gbps高出一些。至于LPDDR5正式登場前，中間會有LPDDR4X加入戰(zhàn)局，目前韓系的SK Hynix與Samsung Electronics有相關產品規(guī)劃。
如果拿之前最高3733Mbps的LPDDR4比較，新版LPDDR4X規(guī)格最高速度可達4266Mbps，可說高出不少，而且最重要部分在于LPDDR4X的VDD電壓不會比LPDDR4要高。
從數(shù)據可以看出，相較于LPDDR4內存，全新的LPDDR4X可以降低2成功耗，對于使用這類型內存的智能手機而言，功耗可以降低當然是一件好事。
目前只有MWC 2016宣布的聯(lián)發(fā)科Helio P20處理器支持LPDDR4X內存，只是這顆SoC搭配LPDDR4X有點突兀，而且聯(lián)發(fā)科Helio P20至今仍未正式推出，預計可能要到2017年初才會有相關設備亮相。
至于HBM 3最快也要等到2019或是2020年才會推出，目前Samsung Electronics已經在IDF 2016的舊金山場放出一些信息。
DDR5部分最小容量會是8GB，單條最大容量可以達到32GB，帶寬方面最大則是6.4Gbps，整體有所提升，但電壓仍舊維持在1.1V。
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