IT之家訊 據(jù)新華網(wǎng)報(bào)道，總投資240億美元的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目近日在武漢東湖高新區(qū)正式開(kāi)工。2020年全面建成后，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元，實(shí)現(xiàn)我國(guó)集成電路存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展“零”的突破。
存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和先進(jìn)制造工藝，同時(shí)也是我國(guó)進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。
此次開(kāi)工的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來(lái)科技城，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Fab廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過(guò)3萬(wàn)美元。
項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個(gè)項(xiàng)目，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。
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