3 月 25 消息,據(jù)國外媒體報道,SK 海力士是全球重要的存儲芯片制造商,他們在去年 10 月份同英特爾達成了協(xié)議,將以 90 億美元收購英特爾大部分的 NAND 閃存及存儲業(yè)務(wù),收購之后就將超過日本的 Kioxia,成為僅次于三星的全球第二大 NAND 閃存制造商,并會縮小與三星的差距。
除了通過收購擴大規(guī)模、獲得知識產(chǎn)權(quán)及研發(fā)人員,SK 海力士也在致力于研發(fā)更先進的 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品。
韓國媒體的報道顯示,在 2021 年 IEEE(電氣電子工程師學(xué)會)國際可靠性物理研討會上發(fā)表演講時,SK 海力士 CEO 李錫熙(Lee Seok-Hee)就表示,在未來十年,他們將致力于克服材料、結(jié)構(gòu)和可靠性方面的挑戰(zhàn),開發(fā) 10nm 以下工藝的 DRAM 和 600 堆疊層的 NAND。
在報道中,韓國媒體表示,研發(fā) 10nm 以下工藝的 DRAM,要求 SK 海力士等半導(dǎo)體廠商,克服光刻技術(shù)方面的挑戰(zhàn)。
在 NAND 方面,SK 海力士已經(jīng)研發(fā)出了 176 層堆疊的 3D NAND。
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