3 月 25 消息，據(jù)國外媒體報道，SK 海力士是全球重要的存儲芯片制造商，他們在去年 10 月份同英特爾達成了協(xié)議，將以 90 億美元收購英特爾大部分的 NAND 閃存及存儲業(yè)務(wù)，收購之后就將超過日本的 Kioxia，成為僅次于三星的全球第二大 NAND 閃存制造商，并會縮小與三星的差距。
除了通過收購擴大規(guī)模、獲得知識產(chǎn)權(quán)及研發(fā)人員，SK 海力士也在致力于研發(fā)更先進的 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品。
韓國媒體的報道顯示，在 2021 年 IEEE（電氣電子工程師學(xué)會）國際可靠性物理研討會上發(fā)表演講時，SK 海力士 CEO 李錫熙（Lee Seok-Hee）就表示，在未來十年，他們將致力于克服材料、結(jié)構(gòu)和可靠性方面的挑戰(zhàn)，開發(fā) 10nm 以下工藝的 DRAM 和 600 堆疊層的 NAND。
在報道中，韓國媒體表示，研發(fā) 10nm 以下工藝的 DRAM，要求 SK 海力士等半導(dǎo)體廠商，克服光刻技術(shù)方面的挑戰(zhàn)。
在 NAND 方面，SK 海力士已經(jīng)研發(fā)出了 176 層堆疊的 3D NAND。
廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。