IT之家 7 月 13 日消息 今日，華為技術(shù)有限公司公開“芯片、芯片的制造方法和電子設(shè)備”專利，公開號為 CN113113367A。
企查查專利摘要顯示，本申請屬于芯片散熱技術(shù)領(lǐng)域，采用本申請，通過在相鄰兩個硅片之間安裝導(dǎo)熱片，可以將硅片上的熱量傳導(dǎo)至導(dǎo)熱片上，降低硅片上的溫度，提升芯片的散熱能力，進(jìn)而可以避免大量的熱量在硅片上聚積而出現(xiàn)芯片燒壞的情況。
IT之家了解到，該專利所述芯片包括殼體、多個硅片和多個導(dǎo)熱片，其中：
所述多個硅片和所述多個導(dǎo)熱片堆疊安裝在所述殼體中；
相鄰兩個所述硅片之間安裝有所述導(dǎo)熱片，所述導(dǎo)熱片的邊緣伸出于相鄰兩個所述硅片之間的間隙。
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