據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，主要 NAND 芯片供應(yīng)商將在 2021 年第四季度提高 176 層 3D NAND 芯片產(chǎn)量，這可能會(huì)在明年上半年帶來(lái)供應(yīng)方面的變數(shù)。
據(jù)《電子時(shí)報(bào)》援引消息人士稱(chēng)，美光科技率先將其 176 層 3D NAND 閃存制造工藝轉(zhuǎn)向量產(chǎn)，SK 海力士緊隨其后，在第四季度開(kāi)始量產(chǎn)。
三星電子也將在平澤第 3 工廠（P3）安裝新的 3D NAND 芯片生產(chǎn)線，以提高 176 層 3D NAND 芯片產(chǎn)量，屆時(shí)將擁有 4 萬(wàn)-5 萬(wàn)片的月產(chǎn)能。
該人士認(rèn)為，明年手機(jī)和消費(fèi)者 SSD 將越來(lái)越多地采用 176 層 3D NAND 閃存。到 2022 年底，超過(guò) 25% 的 NAND 閃存位供應(yīng)將是 176 層 3D NAND 閃存芯片，高于 2021 年第四季度的近 5%。
此外，該消息人士指出，自第四季度以來(lái)，電源管理 IC 和閃存設(shè)備控制器芯片的短缺情況一直在改善，這鼓勵(lì) NAND 閃存芯片制造商擴(kuò)大產(chǎn)量。預(yù)計(jì)到 2022 年上半年，NAND 閃存的供應(yīng)將超過(guò)需求。
不過(guò)，因主要 NAND 閃存芯片制造商仍對(duì)產(chǎn)能擴(kuò)張持謹(jǐn)慎態(tài)度，該行業(yè)明年的整體供應(yīng)增幅將略高于 30%，略高于需求增長(zhǎng)。三星和 SK 海力士今年的位供應(yīng)量增幅都將超過(guò)整體位供應(yīng)量增幅，預(yù)計(jì)在 37%-39%。
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