12 月 15 日，吳越半導(dǎo)體 GaN 晶體出片儀式在無(wú)錫高新區(qū)舉行。
據(jù)無(wú)錫高新區(qū)消息，儀式上，吳越半導(dǎo)體展出了全球范圍內(nèi)首次厚度突破 1 厘米的氮化鎵晶體，并與君聯(lián)資本、新投集團(tuán)簽署 A 輪融資戰(zhàn)略框架協(xié)議。
圖片來(lái)源：無(wú)錫高新區(qū)在線
無(wú)錫吳越半導(dǎo)體有限公司成立于 2019 年，是無(wú)錫先導(dǎo)集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)園首個(gè)落戶(hù)的項(xiàng)目，公司專(zhuān)注于氮化鎵自支撐襯底的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。
2020 年 2 月，吳越半導(dǎo)體、先導(dǎo)集團(tuán)與高新區(qū)管委會(huì)簽訂合作協(xié)議，在無(wú)錫高新區(qū)實(shí)施 2-6 英寸氮化鎵自支撐單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，可填補(bǔ)無(wú)錫市在第三代化合物半導(dǎo)體氮化鎵原材料領(lǐng)域的空白。
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