IT之家 5 月 11 日消息，三星高管于 2023 年 6 月預測，V-NAND 在 2030 年將疊加到 1000 層以上，而最新消息稱鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）將成為這項成就的關鍵。
三星高管 Giwuk Kim 將于今年 6 月發(fā)表技術演講，課題為“在推動 1000 層低電壓和 QLC 3D VNAND 進程中，深入分析 Hafnia 鐵電的關鍵推動因素，以及實驗演示和建?！薄?/p>
在摘要部分中寫到，在金屬帶工程柵極中間層（BE-G.IL）、鐵電（FE）開關、溝道中間層（Ch.IL）和硅（MIFIS） FeFET 架構中，使用 FE 開關相互作用，來顯著提高性能，表明 hafnia FE 成為擴展 3D VNAND 技術發(fā)展的關鍵推動力。
IT之家此前報道，三星計劃明年推出第 10 代 NAND 芯片，采用三重堆疊技術，達到 430 層，進一步提高 NAND 的密度，并鞏固和擴大其領先優(yōu)勢。
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