IT之家 6 月 25 日消息，法國 CEA-Leti 研究所正式宣布牽頭建設代號 FAMES 的 FD-SOI 中試線，該項目整體投資達 8.3 億歐元（IT之家備注：當前約 64.74 億元人民幣）。
CEA-Leti 研究所是法國原子能和替代能源委員會下屬機構，也是 FD-SOI 全耗盡型絕緣體上硅的發(fā)明單位。
FD-SOI 是一項平面 COMS 技術，采用了與先進制程領域流行的 FinFET 三維晶體管不同的技術路線：
FD-SOI 工藝在基底硅的頂部掩埋一層超薄氧化物絕緣體，降低了源極和漏極之間的寄生電容，并有效地限制了從源極流向漏極的電子，顯著降低了影響性能的漏電流效應。
FAMES 是歐洲芯片聯(lián)合企業(yè) Chip JU 指定的四條先進半導體中試線項目之一，其它項目還包括比利時 imec 牽頭的 NanoIC 亞 2nm 制程 SoC 中試線等。
FAMES FD-SOI 中試線將開發(fā)以下五套新技術：
10nm、7nm 兩個制程節(jié)點的 FD-SOI 工藝；
多種 eNVM 嵌入式非易失性存儲，包含 OxRAM、FeRAM、MRAM 和 FeFET；
開關、濾波器、電容器等射頻元件；
異構集成和順序集成這兩種 3D 集成工藝；
用于開發(fā) PMIC 電路上 DC-DC 轉換器的小型電感器。
這五套技術將為低功耗 MCU、MPU、尖端 AI / ML 設備、射頻設備、5G / 6G 芯片、車用芯片、智能傳感器等創(chuàng)造市場機遇。
CEA-Leti 首席技術官讓-勒內-萊克佩斯 (Jean-RenéLèquepeys) 表示：
通過整合和結合一系列尖端技術，F(xiàn)AMES 中試線將為顛覆性的 SoC 架構打開大門，并為未來芯片提供更智能、更環(huán)保和更高效的解決方案。
FAMES 項目將特別關注半導體的可持續(xù)發(fā)展挑戰(zhàn)。
CEA-Leti 表示 FAMES FD-SOI 中試線項目已獲得至少 43 家“電子系統(tǒng)價值鏈”企業(yè)的支持，合作伙伴將包括比利時 imec，德國弗勞恩霍夫應用促進協(xié)會等歐洲多國重要研究機構。
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