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瞄準蘋果下代 XR 設備訂單,消息稱三星電子正積極開發(fā) LLW DRAM 內(nèi)存

2024/7/18 14:22:27 來源:IT之家 作者:溯波(實習) 責編:溯波

IT之家 7 月 18 日消息,韓媒 ZDNet Korea 報道稱,三星電子正積極開發(fā) LLW DRAM 內(nèi)存,為蘋果 Vision Pro 后的下一代頭顯訂單做好準備。

LLW DRAM 全稱 Low Latency Wide I/O DRAM,是一種高性能特殊內(nèi)存,擁有數(shù)量眾多的 I/O 引腳,具備高帶寬低延遲低功耗的優(yōu)勢。

三星電子宣稱,其 LLW DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品可實現(xiàn) 128GB/s 的帶寬,同時能耗僅有 1.2pJ/bit。

三星 LLW DRAM 內(nèi)存結構概念

▲ 三星半導體展示的 LLW DRAM 內(nèi)存結構概念

據(jù)IT之家此前報道,與蘋果 Vision Pro 頭顯上 R1 芯片配套的 LLW DRAM 內(nèi)存由 SK 海力士獨家供應,可提供 256GB/s 帶寬。

該內(nèi)存單顆容量為 1GB,I/O 引腳數(shù)量是傳統(tǒng)內(nèi)存的八倍。如果以目前 LPDDR5 內(nèi)存的 64bit 作為基礎,那 SK 海力士提供的 LLW DRAM 內(nèi)存位寬可達 512bit。

SK海力士LLW DRAM內(nèi)存結構

▲ SK 海力士 LLW DRAM 內(nèi)存結構。圖源 Yole

韓媒報道提到,蘋果曾于 2022 年同三星電子就 LLW DRAM 供應進行過洽談,但最終 SK 海力士得到了這份訂單。

三星電子正積極開發(fā) LLW DRAM 內(nèi)存技術,目前正處于小規(guī)模生產(chǎn)階段,目標未來從 SK 海力士的手中奪取這一細分領域的市場份額。

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關鍵詞:三星電子,LLW DRAM,內(nèi)存,蘋果

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