紅旗碳化硅功率芯片完成首次流片，實(shí)現(xiàn)全鏈條主導(dǎo)開發(fā)

IT之家 10 月 23 日消息，一汽紅旗昨日宣布，由研發(fā)總院新能源開發(fā)院功率電子開發(fā)部自主設(shè)計(jì)的碳化硅功率芯片完成首次流片。

IT之家獲悉，該款碳化硅功率芯片從產(chǎn)品核心指標(biāo)定義、襯底與外延材料選擇、元胞結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、動靜態(tài)性能仿真、工藝仿真、版圖設(shè)計(jì)、晶圓流片到晶圓封測，實(shí)現(xiàn)全鏈條主導(dǎo)開發(fā)。

官方表示，該款芯片聚焦整車電驅(qū)動、智慧補(bǔ)能、車載電源、高壓配電、電動化底盤等系統(tǒng)應(yīng)用需求，創(chuàng)新采用低導(dǎo)通電阻元胞結(jié)構(gòu)、高元胞密度版圖、高可靠性終端結(jié)構(gòu)及片上柵極電阻集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)擊穿電壓超過 1200V，導(dǎo)通電阻小于 15mΩ，力求在效率、可靠性、集成化及標(biāo)準(zhǔn)化方面實(shí)現(xiàn)均衡設(shè)計(jì)。

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