IT之家 11 月 4 日消息，TechInsights 在當(dāng)?shù)貢r間 10 月 24 日的分析中表示，每臺 ASML 0.33 NA EUV 光刻機(jī)的功耗就已經(jīng)達(dá)到了 1170 kW，而 0.55NA (High NA) 光刻機(jī)的功耗預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增長至 1400 kW（IT之家注：大致與 1000 臺滿載運(yùn)行的電火鍋相當(dāng)）。
根據(jù)該機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，目前有 31 家晶圓廠采用 EUV 光刻，到 2030 年將增長至 59 家，而 EUV 光刻設(shè)備的數(shù)量增幅則將超過 100%。
總體來看 2030 年全球僅 EUV 光刻機(jī)就會消耗 6100 GWh 的電力，這與盧森堡、柬埔寨兩國 2020 年的全國用電量不相上下。而半導(dǎo)體晶圓廠中 EUV 光刻機(jī)僅占到總用電量的 11% 左右，其它工藝設(shè)備和 HVAC 暖通空調(diào)系統(tǒng)也會創(chuàng)造龐大的碳足跡。
分析機(jī)構(gòu)表示，半導(dǎo)體行業(yè)正處于十字路口。一方面，EUV 光刻技術(shù)對于推動創(chuàng)新和滿足對先進(jìn)芯片日益增長的需求至關(guān)重要；另一方面，EUV 光刻技術(shù)對能源的影響巨大。
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