IT之家 12 月 4 日消息，長光辰芯（Gpixel）于 12 月 2 日發(fā)布公告，宣布推出兩款高速、高靈敏度背照式 TDI CMOS 圖像傳感器：GLT5008BSI 和 GLT5016BSI。
此兩款產(chǎn)品采用更優(yōu)化的設計，具有更高的行頻、更高量子效率，更好的片上集成度，更加匹配半導體晶圓檢測、FPD 檢測、高通量基因測序、生物熒光成像等行業(yè)的應用需求。
IT之家援引新聞稿，GLT5008BSI 和 GLT5016BSI 基于相同的架構進行設計，采用 5 μm 的電荷域 TDI 像素設計，片上集成兩個譜段，積分級數(shù)分別為 256 級 + 32 級。
GLT5008BSI 有效分辨率為 8208 像素，支持 10 bit 和 12 bit ADC 輸出，最高行頻分別可達 1M Hz 和 500k Hz；GLT5016BSI 有效分辨率為 16416 像素，其最高行頻可達到 500k Hz。
兩款產(chǎn)品最高輸出數(shù)據(jù)率分別為 86.4 Gbps 和 103.7 Gbps, 均可采用 100GiGE 相機接口進行數(shù)據(jù)傳輸。
兩款產(chǎn)品均面向下一代更高通量、更高檢出率的基因測序、半導體檢測、屏幕檢測等應用而開發(fā)，助力高端儀器裝備行業(yè)產(chǎn)業(yè)升級。
GLT5008BSI / GLT5016BSI 根據(jù)不同應用進行 ARC 優(yōu)化設計，分別為紫外譜段優(yōu)化設計（UV）以及可見光優(yōu)化設計（VIS）。
在 UV 版本下，其在 300 nm 以下的峰值量子效率可達 80% 以上；在 266 nm 下，其量子效率可到 65% 以上；在 VIS 版本下，峰值量子效率可高達 92.4% @ 440 nm。此外，除以上兩種 ARC 外，也可根據(jù)用戶需求，提供不同譜段 ARC 定制服務。
GLT5016BSI：16K 背照式 CMOS TDI 圖像傳感器
GLT5016BSI 是一款背照式（BSI）、時延積分（TDI）、電荷域 CMOS 圖像傳感器，水平方向有效分辨率為 16416，像素尺寸為 5 μm，最高滿阱 15 ke?。
該傳感器具有優(yōu)異的 anti-blooming 能力以及大于 0.99996 的電荷轉移效率（CTE），最高級數(shù)支持 256 級，最高行頻可達 500 kHz，在最高行頻情況下功耗小于 6.4 W，為確保高可靠性和良好的散熱性能，其采用 415 引腳的 μPGA 陶瓷封裝。
GLT5016BSI 具備高分辨率、高靈敏度、高幀頻、低功耗等優(yōu)異性能，同時片上集成了時序控制模塊和電源管理模塊，支持通道合并、可選掃描方向等功能，為基因測序、半導體檢測、屏幕檢測等應用帶來更加準確、簡單、高效的解決方案。
GLT5008BSI：8K 背照式 CMOS TDI 圖像傳感器
GLT5008BSI 是一款背照式（BSI）、時延積分（TDI）、電荷域 CMOS 圖像傳感器，水平方向有效分辨率為 8208，像素尺寸為 5 μm，最高滿阱 17 ke?。
該傳感器具有優(yōu)異的 anti-blooming 能力以及大于 0.99993 的電荷轉移效率（CTE），峰值量子效率為 93.4% @ 440 nm，得益于先進的背照式工藝和紫外量子效率優(yōu)化工藝，在 266 nm 處的量子效率大于 63.9%。
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