IT之家 12 月 8 日消息，據(jù)英特爾官方消息，在 IEDM 2024（2024 年 IEEE 國際電子器件會議）上，英特爾代工展示了多項(xiàng)技術(shù)突破。
在新材料方面，減成法釕互連技術(shù)（Subtractive Ruthenium）最高可將線間電容降低 25%，有助于改善芯片內(nèi)互連。
英特爾代工還率先匯報了一種用于先進(jìn)封裝的異構(gòu)集成解決方案選擇性層轉(zhuǎn)移（Selective Layer Transfer、SLT），能夠?qū)⑼掏铝刻嵘哌_(dá) 100 倍，實(shí)現(xiàn)超快速的芯片間封裝（chip-to-chip assembly）。
為了進(jìn)一步推動全環(huán)繞柵極（GAA）的微縮，英特爾代工展示了硅基 RibbionFET CMOS （互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)，以及用于微縮的 2D 場效應(yīng)晶體管（2D FETs）的柵氧化層（gate oxide）模塊，以提高設(shè)備性能。
IT之家獲悉，在 IEDM 2024 上，英特爾代工還分享了對先進(jìn)封裝和晶體管微縮技術(shù)未來發(fā)展的愿景，以滿足包括 AI 在內(nèi)的各類應(yīng)用需求，英特爾稱以下三個關(guān)鍵點(diǎn)將有助于 AI 在未來十年朝著能效更高的方向發(fā)展：
先進(jìn)內(nèi)存集成（memory integration），以消除容量、帶寬和延遲的瓶頸
用于優(yōu)化互連帶寬的混合鍵合
模塊化系統(tǒng)（modular system）及相應(yīng)的連接解決方案
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