IT之家 12 月 12 日消息，據(jù) IBM 官方當(dāng)?shù)貢r(shí)間 9 日博客，IBM 和日本先進(jìn)芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 國(guó)際電子器件會(huì)議上展示了兩方合作的多閾值電壓 GAA 晶體管研發(fā)成果，這些技術(shù)突破有望用于 Rapidus 的 2nm 制程量產(chǎn)。
IBM 表示，先進(jìn)制程升級(jí)至 2nm 后，晶體管的結(jié)構(gòu)由使用多年的 FinFET（IT之家注：鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）轉(zhuǎn)為 GAAFET（全環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管），這對(duì)制程迭代帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)：如何實(shí)現(xiàn)多閾值電壓（Multi Vt）從而讓芯片以較低電壓執(zhí)行復(fù)雜計(jì)算。
2nm 名義制程下 N 型和 P 型半導(dǎo)體通道之間的距離相當(dāng)狹窄，需要精確的光刻才能在實(shí)現(xiàn)多閾值電壓的同時(shí)不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體的性能產(chǎn)生巨大影響，而 IBM、Rapidus 導(dǎo)入了兩種不同的選擇性減少層（SLR）芯片構(gòu)建工藝，成功達(dá)成了目標(biāo)效果。
IBM 研究院高級(jí)技術(shù)人員 Bao Ruqiang 表示：
與上一代 FinFET 相比，Nanosheet 納米片的結(jié)構(gòu)非常不同，而且可能更復(fù)雜。
我們提出的新生產(chǎn)工藝比以前使用的方法更簡(jiǎn)單，我們相信這將使我們的合作伙伴 Rapidus 更容易可靠地大規(guī)模使用 2 納米片技術(shù)制造芯片。
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