IT之家 9 月 27 日消息，佳能日本東京當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布，將在同日向總部位于美國(guó)得克薩斯州的半導(dǎo)體聯(lián)盟得克薩斯電子研究所（TIE）交付佳能最先進(jìn)的納米壓印光刻 NIL 系統(tǒng) FPA-1200NZ2C。
得克薩斯電子研究所成立于 2021 年，由得克薩斯當(dāng)?shù)卣?、半?dǎo)體企業(yè)（IT之家注：包括英特爾在內(nèi)）、美國(guó)國(guó)家研究機(jī)構(gòu)和其它實(shí)體組成，得到了得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校的支持。
該聯(lián)盟對(duì)外提供對(duì)半導(dǎo)體研發(fā)計(jì)劃和原型設(shè)施的訪問權(quán)限，以幫助解決與先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)（包括先進(jìn)封裝技術(shù)）相關(guān)的問題。
佳能的 FPA-1200NZ2C 系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)最小 14nm 線寬的圖案化，支持 5nm 制程邏輯半導(dǎo)體生產(chǎn)。該設(shè)備將在得克薩斯電子研究所用于先進(jìn)半導(dǎo)體的研發(fā)和原型的生產(chǎn)。
傳統(tǒng)的光刻設(shè)備通過將高能光線投射到涂有光刻膠的晶圓上來塑造電路圖形，而佳能 FPA-1200NZ2C 系統(tǒng)則通過將印有電路圖形的掩模像印章一樣壓入晶圓上的光刻膠內(nèi)來實(shí)現(xiàn)這一過程。
由于其電路圖形轉(zhuǎn)移過程不經(jīng)過光學(xué)步驟，NIL 光刻設(shè)備可以在晶圓上忠實(shí)再現(xiàn)掩模中的精細(xì)電路圖形。此外 NIL 光刻設(shè)備還具有低功耗低成本的優(yōu)勢(shì)。
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