IT之家 12 月 9 日消息，韓媒 SEDaily 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 6 日援引消息人士的話稱，三星電子此前已在旗下研發(fā)機(jī)構(gòu)完成了 4XX 層第 10 代 3D V-NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，并從上月開(kāi)始將該技術(shù)轉(zhuǎn)移至位于平澤 1 號(hào)工廠的量產(chǎn)線上。
參考IT之家此前報(bào)道，三星電子代表將在 2025 IEEE ISSCC 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上介紹 4XX 層 1Tb TLC NAND。該產(chǎn)品采用晶圓鍵合技術(shù)，存儲(chǔ)密度達(dá) 28 Gb/mm2，I/O 引腳速率達(dá) 5.6Gb/s。
韓媒認(rèn)為三星 V10 NAND 將采用三堆棧結(jié)構(gòu)。據(jù)悉該閃存在開(kāi)發(fā)階段的良率為 10%~20%，而量產(chǎn)的門檻是 60%。三星電子正努力在量產(chǎn)線上提升第 10 代 V-NAND 良率，如果情況順利將于 2025 下半年得到 PRA 量產(chǎn)就緒許可，最快明年二季度末就可能進(jìn)入量產(chǎn)階段。
根據(jù) TrendForce 集邦咨詢數(shù)據(jù)，三星電子在 2024 年三季度繼續(xù)蟬聯(lián)第一大 NAND 閃存原廠。而除積極研發(fā)外該企業(yè)還在通過(guò)擴(kuò)充先進(jìn)產(chǎn)能以進(jìn)一步穩(wěn)固領(lǐng)先地位：三星計(jì)劃明年在平澤 P4 新增每月 3~4 萬(wàn)片晶圓的 V9 NAND 產(chǎn)能；中國(guó)西安工廠的制程升級(jí)工作也在推進(jìn)。
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