IT之家 12 月 27 日消息，DNP 大日本印刷當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 12 日宣布，成功在其光掩模制品上繪制了支持 2nm 及以下 EUV 工藝的精細(xì)光掩模圖案；同時(shí)該企業(yè)還完成了支持 High NA EUV 光刻的光掩模的初步評估并已向生態(tài)合作伙伴出樣。
IT之家注：
在現(xiàn)代光刻系統(tǒng)中，光掩模上的“大圖案”是在晶圓上的芯片電路“小圖案”的模板。
DNP 在 2023 年完成了適用于 3nm 工藝的光掩模開發(fā)，而滿足 2nm 及以下工藝的光掩模不僅需要在直線圖案尺寸上較 3nm 世代產(chǎn)品縮小 20%，也需要在復(fù)雜度更為凸顯的曲線圖案上實(shí)現(xiàn)同比例的尺寸壓縮。
DNP 此次成功繪制精細(xì)圖案，意味著其光掩模產(chǎn)品可滿足 2nm 及以下名義制程邏輯半導(dǎo)體的生產(chǎn)需求，為更高效邏輯芯片的曝光打下了基礎(chǔ)。該企業(yè)計(jì)劃于 2027 財(cái)年（起始于同自然年 4 月）實(shí)現(xiàn) 2nm 光掩模量產(chǎn)。
考慮到 DNP 和 Rapidus 雙方的合作關(guān)系，DNP 的光掩模新品預(yù)計(jì)將用于 Rapidus 計(jì)劃于 2025 年 4 月啟動的 2nm 試產(chǎn)線。
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