IT之家 5 月 7 日消息，據(jù)韓媒 The Elec 報道，SK 海力士正向 Tokyo Electron（TEL）發(fā)送測試晶圓，以測試后者的低溫蝕刻設備，有望在未來 NAND 閃存生產(chǎn)中導入。
目前，提升堆疊層數(shù)是提升單顆 3D NAND 閃存顆粒容量的主要途徑。然而在層數(shù)提升的過程中，在閃存顆粒中蝕刻垂直通道的難度隨著深寬比的增高逐漸加大，速度也隨之降低。
廠商不得不考慮將整體 NAND 閃存分割為多個閃存堆棧制造，之后將各個堆棧鍵合為一體。不過多堆棧結(jié)構(gòu)在鍵合過程中引入了對齊等新問題，性能、能效也有所下降。
TEL 的新型低溫蝕刻設備工作環(huán)境溫度為-70℃，明顯低于現(xiàn)有蝕刻設備的 0~30℃。
參考IT之家去年報道，新設備可在 33 分鐘內(nèi)蝕刻 10 微米，比現(xiàn)有設備快 3 倍以上；
同時 TEL 的低溫蝕刻設備采用氟化氫（HF）氣體，相較傳統(tǒng)系統(tǒng)使用的氟碳化物氣體擁有較低的溫室效應，更為環(huán)保。
SK 海力士官宣的最新一代 321 層 NAND 閃存采用了三堆棧結(jié)構(gòu)。業(yè)內(nèi)人士預計，如果 TEL 的低溫蝕刻設備效果良好，未來 400 + 層閃存產(chǎn)品有望將堆棧數(shù)量降低到 2 乃至 1。
在另一方面，SK 海力士的主要競爭對手之一三星電子則是導入該工具的演示版本對低溫蝕刻進行評估。
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