IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。
SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
按照韓媒的說(shuō)法，SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。
IT之家注：從代際發(fā)布間隔來(lái)看，美光從 232 層 NAND 閃存到 276 層用時(shí) 2 年，三星 V8 NAND 和 V9 NAND 間隔約 1.5 年。
韓媒在報(bào)道中還提到，SK 海力士新的 400+ 層堆疊 NAND 閃存將采用不同于現(xiàn)有“4D NAND”的整體結(jié)構(gòu)：
SK 海力士目前的 4D NAND 采用了 PUC（Peri Under Cell，單元下外圍）技術(shù)，將外圍控制電路放置在存儲(chǔ)單元的下方，較更傳統(tǒng)的外圍電路側(cè)置設(shè)計(jì)可減少芯片占用空間。
而 SK 海力士未來(lái)的 NAND 將在兩塊晶圓上分別制造外圍電路和存儲(chǔ)單元，此后采用 W2W（晶圓對(duì)晶圓）形式的混合鍵合技術(shù)，將這兩部分整合為完整的閃存。
換句話說(shuō)，SK 海力士也將采用類似長(zhǎng)江存儲(chǔ) Xtacking、鎧俠-西部數(shù)據(jù) CBA 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
報(bào)道指出，SK 海力士已在著手構(gòu)建 NAND 混合鍵合所需的原材料與設(shè)備供應(yīng)鏈，正對(duì)混合鍵合技術(shù)與材料進(jìn)行新的審查；此外三星電子也考慮在下一代 NAND 生產(chǎn)中應(yīng)用混合鍵合。
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