IT之家 10 月 29 日消息，英飛凌官方今日宣布，在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進展。
這種晶圓直徑為 300mm，厚度為 20μm、僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進的 40-60μm 晶圓厚度的一半。
IT之家獲悉，與基于傳統(tǒng)硅晶圓的解決方案相比，晶圓厚度減半可將基板電阻降低 50%，從而使功率系統(tǒng)中的功率損耗減少 15% 以上。
據(jù)官方介紹，對于高端 AI 服務(wù)器應(yīng)用來說，電流增大會推動能源需求上升，因此，將電壓從 230V 降低到 1.8V 以下的處理器電壓，對于功率轉(zhuǎn)換來說尤為重要。
超薄晶圓技術(shù)大大促進了基于垂直溝槽 MOSFET 技術(shù)的垂直功率傳輸設(shè)計。這種設(shè)計實現(xiàn)了與 AI 芯片處理器的高度緊密連接，在減少功率損耗的同時，提高了整體效率。
英飛凌表示該技術(shù)已獲得認可，并被應(yīng)用于英飛凌的集成智能功率級（直流-直流轉(zhuǎn)換器）中，且已交付給首批客戶。
英飛凌預(yù)測在未來三到四年內(nèi)，現(xiàn)有的傳統(tǒng)晶圓技術(shù)將被用于低壓功率轉(zhuǎn)換器的替代技術(shù)所取代。
11 月 12-15 日，英飛凌將在 2024 年慕尼黑國際電子元器件博覽會上公開展示首款超薄硅晶圓。
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